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美光转向3D芯片40亿美元扩建工厂OFweek电子工程网dd-【新闻】

发布时间:2021-04-11 10:35:58 阅读: 来源:岩棉板厂家

美光转向3D芯片 40亿美元扩建工厂 - OFweek电子工程网

OFweek电子工程网讯:传统的平面闪存在16/15nm工艺之后面临瓶颈,厂商开始转向3D闪存,这其中三星动作最快,去年就已经开始量产第二代V-NAND闪存了,850 Pro及850 Evo硬盘也上市了。东芝/闪迪系也在跟进,在日本扩建Fab 2工厂准备3D闪存生产,Intel/美光系去年底也公开了他们的3D NAND闪存,现在也准备量产了。日前美光宣布投资40亿美元扩建新加坡的Fab 10晶圆厂,明年底开始量产第二代3D NAND闪存。 美光斥资40亿美元升级Fab 10X晶圆厂生产3D NAND闪存 美光在新加坡现有Fab 10N晶圆厂,每月产能约为14万片等效晶圆,这次投资新建的是Fab 10X晶圆厂,主要生产第二代3D NAND闪存,建成后每月产能还是大约14万片等效晶圆,不过之后就是3D NAND闪存了,因此总产能更大,在未来的几年里可支撑每年bit容量增长40-50%。 此次投资总额约为40亿美元,整个项目要到2017财年也就是2016年Q4季度才能完成,其中2015财年先期投资为5亿美元。 美光的Fab 10X工厂主要是生产第二代的3D NAND闪存,根据Intel之前所说,二代3D NAND闪存最高可以堆叠32层NAND,die核心容量则高达256Gb,这样就能达到1TB容量,如果是TLC闪存,die容量则可以达到384Gb,2mm厚度下就能实现1TB的容量,也就是一张SD卡的大小就有TB+的容量。 美光的3D NAND闪存路线图 在美光的路线图上,平面的16nm工艺之后他们就会100%专注于3D NAND闪存,2015年底首先会在消费级市场推出3D NAND闪存的固态硬盘,不过这个应该是第一代3D NAND的,堆叠层数为16层,比三星的V-NAND略低。

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